GGG
釓鎵石榴石（GGG）是用于磁光薄膜的基片。在光通訊設(shè)備中，需大量使用1.3μ及1.5μ的光隔離器，其主要部件為置于磁場中的YIG或BIG膜。不同切向的GGG單晶基片可以做到與這類磁光材料晶格的匹配，從而確保?YIG、BIG 薄膜成功的外延生長。
文件下載- 產(chǎn)品描述
-
GGG 良好的物理、機(jī)械性能和化學(xué)穩(wěn)定性也確保了薄膜制備過程中對膜的各項(xiàng)要求。在磁制冷行業(yè)，GGG成功應(yīng)用在20K以下溫區(qū)，用于市場HeII流以及氦氮液化前級制冷。
主要特點(diǎn)：
低光學(xué)損耗（＜0.1%/cm）
高導(dǎo)熱性（7.4W m-1K-1)
高激光損傷閾值（>1GW/cm2)
典型應(yīng)用：
YIG和BIG磁光外延膜的襯底材料
磁泡存儲器
磁制冷
- 產(chǎn)品特性
-
材料
GGG
SGGG
分子式
Gd3Ga5O12
Substituted Gd3Ga5O12
晶體結(jié)構(gòu)
立方晶系
立方晶系
晶格常數(shù)
a=12.383 ?
a=12.497 ?
生長方法
Czochralski
Czochralski
莫氏硬度
8.0
7.5
密度
7.13g/cm3
7.09g/cm3
熔點(diǎn)
1725℃
1730℃
反射系數(shù)
1.954 @?1064nm
1.954 @?1064nm
- 技術(shù)參數(shù)
-
科瑞思創(chuàng)提供:
最大尺寸
Φ101.6mm
厚度
0.5mm，?或客戶定制
拋光
單面或雙面
晶向
<111>±0.2°
定位邊精度
0.2°（定制可達(dá)到1°以內(nèi)）
表面粗糙度 Ra≤1nm, EPI ready
備注：以上參數(shù)為參考數(shù)據(jù)，具體產(chǎn)品技術(shù)要求請聯(lián)系銷售人員確認(rèn)。