LGS
硅酸鎵鑭（LGS）晶體在制造聲表面波（SAW）和體表面波（BAW）器件方向具有廣闊前景,是一種新型壓電材料。同時(shí)，LGS晶體可以用于制作電光Q開關(guān)。以LGS晶體可以用于制做電光Q開關(guān)。以LGS晶體為材料的器件具有較高的熱穩(wěn)定性。
文件下載- 產(chǎn)品描述
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硅酸鎵鑭晶體簡稱LGS,是一種性能優(yōu)良的多功能晶體。LGS晶體的介電、彈性和壓電常數(shù)明顯高于石英，機(jī)電耦合系數(shù)是石英的2～3倍，可以用于制造表面聲波(SAW)和體聲波(BAW)器件。同時(shí)，LGS晶體可以用于制做電光Q開關(guān)，效果可與DKDP晶體Q開關(guān)相媲美。以LGS晶體為材料的器件都具有較高的熱穩(wěn)定性。
主要特點(diǎn)：
高熱穩(wěn)定性
低等效串聯(lián)電阻率
機(jī)電耦合系數(shù)是石英的3-4倍
典型應(yīng)用：
電光調(diào)Q開關(guān)
聲表面波濾波器
體聲波濾波器、諧振器
陀螺儀等
- 產(chǎn)品特性
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分子式
La3Ga5SiO14
晶體結(jié)構(gòu)
三方晶系
密度
5.754g/cm3
熔點(diǎn)
1470℃
莫氏硬度
6.6
相對介電常數(shù) ε11/ε0=19.2; ε33/ε0=50.7
熱膨脹系數(shù)
α11=5.07×10-6/K; α33=3.60×10-6/K
壓電常數(shù)
e11=0.43; e22=0.1039
- 技術(shù)參數(shù)
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尺寸規(guī)格
Φ2英寸、Φ3英寸、 10mm×10mm×0.5mm、 20mm×20mm×0.5mm或客戶定制
厚度公差
±0.02mm?
切割方向
X/Y/Z,（0,138.5,27）或定制, 精度±0.2°
平行度
＜30″
垂直度
＜15′
平面度
＜λ/10@633nm
倒角
＜0.1mm@45°
光潔度
10/5